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SI7882DP-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI7882DP-T1-E3
Descrição: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 1.9W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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