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SI7888DP-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI7888DP-T1-E3
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 12.4A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.8W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V