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SI7956DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI7956DP-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.4W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Número da parte base SI7956
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 150V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.6A

Em estoque 12672 pcs

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