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SI7983DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI7983DP-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 P-Channel (Dual)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.4W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Número da parte base SI7983
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 600µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 12A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 7.7A

Em estoque 55 pcs

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