A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SI8416DB-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI8416DB-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±5V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-UFBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-microfoot
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	8V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 4V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V