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SI8481DB-T1-E1

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI8481DB-T1-E1
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET® Gen III
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	4-UFBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2.8W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V