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SI8819EDB-T2-E1

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI8819EDB-T2-E1
Descrição:	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	4-XFBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Dissipação de energia (Max)	900mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V