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SI8900EDB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI8900EDB-T2-E1
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 1W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 10-UFBGA, CSPBGA
Número da parte base SI8900
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Pacote de dispositivos de fornecedores 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.4A

Em estoque 73 pcs

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