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SI8902EDB-T2-E1

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI8902EDB-T2-E1
Descrição:	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo	1W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-MICRO FOOT®CSP
Número da parte base	SI8902
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 980µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.9A