Image is for reference only , details as Specifications

SIA411DJ-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIA411DJ-T1-GE3
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SC-70-6 Single
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V