SIA425EDJ-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | SIA425EDJ-T1-GE3 |
Descrição: | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchFET® |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 55 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1