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SIA537EDJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SIA537EDJ-T1-GE3
Descrição: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 7.8W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número da parte base SIA537
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V, 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.5A

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