A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SIA850DJ-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIA850DJ-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	LITTLE FOOT®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Isolated)
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	1.9W (Ta), 7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	190V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	950mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V