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SIB452DK-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIB452DK-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SC-75-6L
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SC-75-6L Single
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	190V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	135pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V