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SIB900EDK-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SIB900EDK-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 3.1W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SC-75-6L Dual
Número da parte base SIB900
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SC-75-6L Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.5A

Em estoque 76 pcs

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