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SIDR626DP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIDR626DP-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CHAN 60V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET® Gen IV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5130pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	42.8A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V