SIHB100N60E-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | SIHB100N60E-GE3 |
Descrição: | MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | E |
Fet tipo | N-Channel |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 13A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 208W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D²PAK (TO-263) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1851pF @ 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 1002 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$4.83 | $4.73 | $4.64 |
Mínimo: 1