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SIHB100N60E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SIHB100N60E-GE3
Descrição: MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série E
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max) 208W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1851pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 1002 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.83 $4.73 $4.64
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