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SIHD1K4N60E-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIHD1K4N60E-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH DPAK TO-252
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	E
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)	63W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	172pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V