A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SIHH186N60EF-T1GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIHH186N60EF-T1GE3
Descrição:	MOSFET N-CH EF PWR PWRPAK 8X8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	EF
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	193mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	114W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 8 x 8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1081pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V