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SIHP186N60EF-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SIHP186N60EF-GE3
Descrição: MOSFET N-CH EF PWR TO-220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série EF
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 193mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 156W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1081pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 60 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.35 $3.28 $3.22
Mínimo: 1

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