A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SIHU2N80E-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIHU2N80E-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	E
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	IPAK (TO-251)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V