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SIHU6N65E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SIHU6N65E-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 78W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores IPAK (TO-251)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 55 pcs

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