Image is for reference only , details as Specifications

SIRA10BDP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIRA10BDP-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CHAN 30V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET® Gen IV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	+20V, -16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)	5W (Ta), 43W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36.2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	30A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V