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SIRB40DP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SIRB40DP-T1-GE3
Descrição:	MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	46.2W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 10A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SO-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	40A (Tc)