Image is for reference only , details as Specifications

SIS888DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SIS888DN-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	ThunderFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)	52W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	150V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 75V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V