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SIS903DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SIS903DN-T1-GE3
Descrição:	MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET® Gen III
Fet tipo	2 P-Channel (Dual)
Embalagem	Cut Tape (CT)
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 1212-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6A (Tc)