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SISH407DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SISH407DN-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® 1212-8SH
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93.8nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2760pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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