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SISS66DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SISS66DN-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET® Gen IV
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	+20V, -16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Body)
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.38mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3327pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V