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SIZ902DT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SIZ902DT-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 29W, 66W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerWDFN
Número da parte base SIZ902
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 16A

Em estoque 5602 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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