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SIZ926DT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SIZ926DT-T1-GE3
Descrição:	MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET® Gen IV
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	20.2W, 40W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)