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SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SIZF906ADT-T1-GE3
Descrição:	MOSFET DUAL N-CHAN 30V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET® Gen IV
Fet tipo	2 N-Channel (Dual), Schottky
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)