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SQD100N03-3M4_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SQD100N03-3M4_GE3
Descrição: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 136W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7349pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 1997 pcs

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