A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SQJ202EP-T1_GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SQJ202EP-T1_GE3
Descrição:	MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	27W, 48W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 15A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	20A, 60A