SQJQ466E-T1_GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | SQJQ466E-T1_GE3 |
Descrição: | MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 150W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® 8 x 8 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 60V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10210pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 2921 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1