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SQUN702E-T1_GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SQUN702E-T1_GE3
Descrição:	MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fet tipo	N and P-Channel, Common Drain
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	48W (Tc), 60W (Tc)
Tipo de montagem	Surface Mount, Wettable Flank
Pacote / Caso	Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V, 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	30A (Tc), 20A (Tc)