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SUD19N20-90-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SUD19N20-90-E3
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V