A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SUD20N10-66L-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SUD20N10-66L-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	16.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V