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BUJ403A/DG,127

Fabricantes: WeEn Semiconductors
Categoria de produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Folha de dados: BUJ403A/DG,127
Descrição: TRANS NPN 550V 6A TO220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante WeEn Semiconductors
Categoria de produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Embalagem Tube
Parte Status Active
Potência - Máximo 100W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Tipo de transistor NPN
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Frequência - Transição -
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 2A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 6A
Atual - Corte de colecionador (Max) 100µA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 550V

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