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DMN3190LDW-7

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DMN3190LDW-7
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 320mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1A

Em estoque 421459 pcs

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