GA50JT06-258
Fabricantes: | GeneSiC Semiconductor |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | GA50JT06-258 |
Descrição: | TRANS SJT 600V 100A |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | - |
Embalagem | Bulk |
Vgs (Max) Vgs (Max) | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-258-3, TO-258AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Temperatura operacional | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
Dissipação de energia (Max) | 769W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-258 |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Em estoque 95 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$626.75 | $614.22 | $601.93 |
Mínimo: 1