A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IXTP1R6N100D2

Fabricantes:	IXYS
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IXTP1R6N100D2
Descrição:	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Depletion Mode
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	-
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 800mA, 0V
Dissipação de energia (Max)	100W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1000V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V