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BSC072N03LDGATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: BSC072N03LDGATMA1
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série OptiMOS™
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 57W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Número da parte base BSC072N03
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 11.5A

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