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BSC072N03LDGATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	BSC072N03LDGATMA1
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	OptiMOS™
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo	57W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Número da parte base	BSC072N03
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 20A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11.5A