BSO211PNTMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | BSO211PNTMA1 |
Descrição: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | OptiMOS™ |
Fet tipo | 2 P-Channel (Dual) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 2W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número da parte base | BSO211 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | P-DSO-8 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 4.7A |
Em estoque 1380 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.89 | $0.87 | $0.85 |
Mínimo: 1