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IPT60R028G7XTMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPT60R028G7XTMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolMOS™ G7
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerSFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.44mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 28.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)	391W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	123nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4820pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V