A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IPW65R190C6FKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPW65R190C6FKSA1
Descrição: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 151W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1620pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 63 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
$0
2SK4116LS
ON Semiconductor
$0
2SK4099LS
ON Semiconductor
$0
2SK3827
ON Semiconductor
$0