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IRF7341GTRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRF7341GTRPBF
Descrição:	MOSFET N-CH 55V 5.1A
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.4W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 5.1A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	5.1A