IRF7379QTRPBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | IRF7379QTRPBF |
Descrição: | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | HEXFET® |
Fet tipo | N and P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 2.5W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número da parte base | IRF7379QPBF |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
Em estoque 91 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1