IRFH6200TR2PBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IRFH6200TR2PBF |
Descrição: | MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | HEXFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-PQFN (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10890pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Em estoque 60 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1