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IRLB3036GPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRLB3036GPBF
Descrição: MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 165A, 10V
Dissipação de energia (Max) 380W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11210pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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