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CSD23202W10

Fabricantes:	NA
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	CSD23202W10
Descrição:	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	NA
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	NexFET™
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	-6V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	4-UFBGA, DSBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-DSBGA (1x1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	512pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V