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CSD23202W10

Fabricantes: NA
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: CSD23202W10
Descrição: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante NA
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série NexFET™
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) -6V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 4-UFBGA, DSBGA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 4-DSBGA (1x1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

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